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深圳市銳行遠科技有限公司-什麼(me)是氮化镓充電器？ 
氮化镓，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一種(zhǒng)直接能(néng)隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起(qǐ)常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化镓的能(néng)隙很寬，爲3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，産生紫光（405nm）激光。
GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起(qǐ)，被(bèi)譽爲是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後(hòu)的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學(xué)穩定性好(hǎo)（幾乎不被(bèi)任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能(néng)力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面(miàn)有著(zhe)廣闊的前景。 GaN材料系列具有低的熱産生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，随著(zhe) MBE技術在GaN材料應用中的進(jìn)展和關鍵薄膜生長(cháng)技術的突破，成(chéng)功地生長(cháng)出了GaN多種(zhǒng)異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。調制摻雜的AlGaN/GaN結構具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數，是制作微波器件的優先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱性能(néng)好(hǎo)，有利于器件在大功率條件下工作。
對(duì)于GaN材料，長(cháng)期以來由于襯底單晶沒(méi)有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學(xué)所制成(chéng)1200mcd的 LED，1995年又制成(chéng)Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開(kāi)發(fā)LED的 7年規劃，其目标是到2005年研制密封在熒光管内、并能(néng)發(fā)出白色光的高能(néng)量紫外光LED，這(zhè)種(zhǒng)白色LED的功耗僅爲白熾燈的1/8，是熒光燈的1/2, 其壽命是傳統熒光燈的50倍～100倍。這(zhè)證明GaN材料的研制工作已取相當成(chéng)功，并進(jìn)入了實用化階段。InGaN系合金的生成(chéng)，InGaN/AlGaN 雙質結LED，InGaN單量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相繼開(kāi)發(fā)成(chéng)功。InGaNSQWLED6cd高亮度純綠茶色、2cd高亮度藍色 LED已制作出來，今後(hòu)，與AlGaP、AlGaAs系紅色LED組合形成(chéng)亮亮度全色顯示就(jiù)可實現。這(zhè)樣(yàng)三原色混成(chéng)的白色光光源也打開(kāi)新的應用領域,以高可靠、長(cháng)壽命LED爲特征的時(shí)代就(jiù)會(huì)到來。日光燈和電燈泡都(dōu)將(jiāng)會(huì)被(bèi)LED所替代。LED將(jiāng)成(chéng)爲主導産品，GaN晶體管也將(jiāng)随材料生長(cháng)和器件工藝的發(fā)展而迅猛發(fā)展，成(chéng)爲新一代高溫度頻大功率器件。
基本信息
中文名稱：氮化镓
英文名稱：gallium(iii) nitride
英文别名：Gallium nitride; nitridogallium; gallium nitrogen(-3) anion
分子量：83.7297
熔點：1700℃
密度：6.1g/mL，25/4℃
計算化學(xué)數據 1、疏水參數計算參考值（XlogP）：無
2、氫鍵供體數量：0
3、氫鍵受體數量：1
4、可旋轉化學(xué)鍵數量：0
5、互變異構體數量：無
6、拓撲分子極性表面(miàn)積：23.8
7、重原子數量：2
8、表面(miàn)電荷：0
9、複雜度：10
10、同位素原子數量：0
11、确定原子立構中心數量：0
12、不确定原子立構中心數量：0
13、确定化學(xué)鍵立構中心數量：0
14、不确定化學(xué)鍵立構中心數量：0
15、共價鍵單元數量：1
性質與穩定
如果遵照規格使用和儲存則不會(huì)分解。
避免接觸氧化物，熱，水分/潮濕。
GaN在1050℃開(kāi)始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射線衍射已經(jīng)指出GaN晶體屬纖維鋅礦晶格類型的六方晶系。
在氮氣或氦氣中當溫度爲1000℃時(shí)GaN會(huì)慢慢揮發(fā)，證明GaN在較高的溫度下是穩定的，在1130℃時(shí)它的蒸氣壓比從焓和熵計算得到的數值低，這(zhè)是由于有多聚體分子(GaN)x的存在。
GaN不被(bèi)冷水或熱水，稀的或濃的鹽酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的濃堿中也是穩定的，但在加熱的情況下能(néng)溶于堿中。
優點與長(cháng)處
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能(néng)力強；
②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能(néng)谷之間能(néng)量差大，則不易産生谷間散射，從而能(néng)得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；
③GaN易與AlN、InN等構成(chéng)混晶，能(néng)制成(chéng)各種(zhǒng)異質結構，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因爲2-DEG面(miàn)密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素）；
④晶格對(duì)稱性比較低（爲六方纖鋅礦結構或四方亞穩的閃鋅礦結構），具有很強的壓電性（非中心對(duì)稱所緻）和鐵電性（沿六方c軸自發(fā)極化）：在異質結界面(miàn)附近産生很強的壓電極化（極化電場達2MV/cm）和自發(fā)極化（極化電場達3MV/cm），感生出極高密度的界面(miàn)電荷，強烈調制了異質結的能(néng)帶結構，加強了對(duì)2-DEG的二維空間限制，從而提高了2-DEG的面(miàn)密度（在AlGaN/GaN異質結中可達到1013/cm2，這(zhè)比AlGaAs/GaAs異質結中的高一個數量級），這(zhè)對(duì)器件工作很有意義。
總之，從整體來看，GaN的優點彌補了其缺點，特别是通過(guò)異質結的作用，其有效輸運性能(néng)并不亞于GaAs，而制作微波功率器件的效果（微波輸出功率密度上）還(hái)往往要遠優于現有的一切半導體材料，深圳市銳行遠科技有限公司()。
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